收藏本站
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXMN3A14F
Typical Characteristics - continued
10
500
C ISS
V GS = 0V
f = 1MHz
8
6
I D = 3.2A
C OSS
4
C RSS
2
V DS = 15V
0.1
0
0
1 10
V DS - Drain - Source Voltage (V)
0
2
4 6
Q - Charge (nC)
8
10
Capacitance v Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage v Gate Charge
Test Circuits
Current
Q G
regulator
V G
Q GS
Q GD
12V
0.2 F
50k
Same as
D.U.T
V DS
I G
D.U.T
I D
V GS
Charge
Basic gate charge waveform
V DS
Gate charge test circuit
90%
10%
R G
V GS
R D
V DS
V DD
V GS
Pulse width
1 S
Duty factor 0.1%
t r
t (on)
t d(of )
t r
t (on)
t d(on)
Switching time waveforms
Switching time test circuit
ZXMN3A14F
Document Number DS33536 Rev. 2 - 2
6 of 8
www.diodes.com
April 2012
? Diodes Incorporated
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
ZXMN3AM832TA MOSFET N-CHAN DUAL 30V 8MLP
ZXMN3AMCTA MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN
ZXMN3B01FTA MOSFET N-CHAN 30V 2A SOT23-3
ZXMN3B04N8TC MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC
ZXMN3B14FTA MOSFET N-CHAN 30V 3.5A SOT23-3
ZXMN3F30FHTA MOSFET N-CHAN 30V SOT23-3
ZXMN3F31DN8TA MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC DUAL
ZXMN3G32DN8TA MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC DUAL
相关代理商/技术参数
ZXMN3A14FTA-CUT TAPE 制造商:DIODES 功能描述:ZXMN3A14 Series 30 V 0.065 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3
ZXMN3A14FTC 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN3AM832 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:MPPS Miniature Package Power Solutions DUAL 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN3AM832(1) 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:
ZXMN3AM832TA 功能描述:MOSFET Dl 30V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZXMN3AM832TC 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:MPPS Miniature Package Power Solutions DUAL 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN3AMC 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:30V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN3AMCTA 功能描述:MOSFET 30V DUAL N-CH ENH 20V VGS 3.7 IDS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube